SI7489DP-T1-GE3

品牌：VISHAY

封裝：SON8

數(shù)量：3000 PCS

批號：1625+

說明：3000/盤,全新原裝正品，公司長期特價銷售，品質(zhì)保證，支持原廠訂貨！詳情面議

聯(lián)系人： 李先生

手 機：  15012764936   

直 線：  0755-82785381  82781578

業(yè)務(wù)Q    1049720034

產(chǎn)品參數(shù)：

產(chǎn)品種類: MOSFET

制造商: Vishay

RoHS: 符合RoHS 詳細信息

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-8

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: - 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 7.8 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 41 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

最大工作溫度: + 150 C

封裝: Reel

通道模式: Enhancement

商標: Vishay Semiconductors

配置: Single

下降時間: 100 ns

高度: 1.04 mm

長度: 4.9 mm

最小工作溫度: - 55 C

Pd-功率耗散: 5.2 W

上升時間: 20 ns, 160 ns

系列: SI7

工廠包裝數(shù)量: 3000

商標名: TrenchFET

晶體管類型: 1 P-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 110 ns, 100 ns

典型接通延遲時間: 15 ns, 42 ns

寬度: 5.89 mm

零件號別名: SI7489DP-GE3

單位重量: 506.600 mg