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SI7489DP-T1-GE3資料 | |
SI7489DP-T1-GE3 PDF Download |
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File Size : 116 KB
Manufacturer:VISHAY Description:暫無任何描述... |
相關(guān)型號 | |
◆ TB67S109AFTG | |
◆ B15N10D | |
◆ CD74HC30M | |
◆ PE42440MLBB-Z | |
◆ M95080-WMN6TP | |
◆ HMC787LC3BTR | |
◆ B82793S0513N201 | |
◆ B82793S513N201 | |
◆ TPS82130SILT | |
◆ VP5-0155TR-R |
1PCS | 100PCS | 1K | 10K | ||
價 格 | |||||
型 號:SI7489DP-T1-GE3 廠 家:VISHAY 封 裝:SON8 批 號:16+ 數(shù) 量:3000 說 明: SI7489DP-T1-GE3 品牌:VISHAY 封裝:SON8 數(shù)量:3000 PCS 批號:1625+ 說明:3000/盤,全新原裝正品,公司長期特價銷售,品質(zhì)保證,支持原廠訂貨!詳情面議
聯(lián)系人: 李先生 手 機: 15012764936 直 線: 0755-82785381 82781578 業(yè)務(wù)Q 1049720034
產(chǎn)品參數(shù):
產(chǎn)品種類: MOSFET 制造商: Vishay RoHS: 符合RoHS 詳細信息 技術(shù): Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SOIC-8 通道數(shù)量: 1 Channel 晶體管極性: P-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: - 100 V Id-連續(xù)漏極電流: 7.8 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 41 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V 最大工作溫度: + 150 C 封裝: Reel 通道模式: Enhancement 商標: Vishay Semiconductors 配置: Single 下降時間: 100 ns 高度: 1.04 mm 長度: 4.9 mm 最小工作溫度: - 55 C Pd-功率耗散: 5.2 W 上升時間: 20 ns, 160 ns 系列: SI7 工廠包裝數(shù)量: 3000 商標名: TrenchFET 晶體管類型: 1 P-Channel 典型關(guān)閉延遲時間: 110 ns, 100 ns 典型接通延遲時間: 15 ns, 42 ns 寬度: 5.89 mm 零件號別名: SI7489DP-GE3 單位重量: 506.600 mg |
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運 費: 所在地: 新舊程度: |
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聯(lián)系人:李先生 李小姐 陳小姐 |
電 話:0755-82785381.82781578.82568894.83997461 |
手 機:15012764936. |
QQ:1745734173,872633911,1981870956,1049720034,2438198624,3124292218,3237681804 |
MSN:liwaibing@hotmail.com |
傳 真:0755-82785458 |
EMail:15012764936@126.com |
公司地址: 深圳市福田區(qū)中航路都會電子城B座26樓26U室 |